据闪德资讯短线配资网获悉短线配资网，三星电子多年来是全球最大的DRAM供应商，也是最大的NAND供应商，然而近两年来的发展并不太顺利。
从DDR5时代就开始被SK海力士逆袭，HBM更是落后于SK海力士，以致于连续两季被SK海力士超越，保持了二三十年的第一名让位了。
NAND方面，其它厂商现在都开始量产300层以上的TLC和QLC了，三星被爆出QLC出状况。
第九代V9做到了280层堆栈，2024年4月即开始量产，首批是TLC NAND，核心容量做到了1Tb。
2024年9月开始量产V9 QLC NAND了，但是被爆出有品质问题，效能、延迟都有问题，全面量产V9 QLC NAND至少延后到2026年上半年。
三星的旗舰QLC NAND依然停留在V7，V8未有QLC类型NAND。
QLC NAND容量更大，成本更低，因此是AI时代最受欢迎的产品，需求比TLC要高，三星关键时候出差错，对营收与市场份额显然会很不利。
QLC NAND方面，SK海力士依然是目前的纪录，8月宣布第一个量产300+层的产品，达到了321层，并且已经开始量产，而且介面速度倍增，写入效能提升了56%，读取效能提升了18%。
闪德资讯，一个聚焦关注存储产业供应链和趋势变化的垂直媒体。
鼎宏配资提示：文章来自网络，不代表本站观点。
相关文章
热点资讯
